集成電路作為電子產品中的核心部件，其質量的好壞直接決定了到電子整機產品的性能和可靠性的高低。在集成電路制造過程中的硅氧化、光刻、外延、擴散和引線蒸發等諸多工序前，均會采用物理或化學的方法去除硅片表面的污染物和自身氧化物，以得到符合清潔度要求的硅片，但由此也產生了大量的廢水。

　　清洗廢水中的主要污染物為高濃度懸浮顆粒物、酸堿污染及重金屬離子等。且清洗后“廢水”的水質幾乎與進水相同，作為廢水排放，造成資源浪費，增加了生產成本。

　　萊特萊德在常規水解酸化+接觸氧化的工藝路線上延伸出廢水近零排放工藝。系統中采用MBR膜作為預處理的保安關卡，保證預處理出水水質優良穩定。膜濃縮系統配合催化氧化技術及ACF吸附模塊，將被濃縮、富集的COD去除到可接受范圍內，保證MVR以及膜系統不易產生污堵，始終維持高效穩定運行。

　　萊特萊德集成電路清洗廢水回用系統的工藝優勢：

　　1、MBR膜池維持高濃度的微生物量，處理裝置容積負荷高，占地面積小。

　　2、運用膜法處理工藝，將生產廢水分類收集、處理，然后再次回用于生產線。

　　3、系統設置實時在線監測裝置，確保系統能長期穩定運行。

　　萊特萊德采用膜系統進行廢水濃縮減量，可實現98%的收率。有效去除清洗廢水中銅、釩、鎳、鉻等重金屬，處理效果顯著。不僅可實現高效、快速清洗，增強清洗半導體晶圓的效果，且可降低水資源的浪費。